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              氮化硅發熱體的發熱過程

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              氮化硅發熱體的發熱過程

              發布日期:2019-06-03 00:00 來源:http://www.ippo-ippo.com 點擊:

              氮化硅發熱體的發熱過程


              由于微波有較強的穿透能力,它能到樣品內,先使氮化硅發熱體溫度達到著火點并引發燃燒合成。燒結波沿徑向從里向外傳播,這就能使整個樣品是均勻地被加熱,完成燒結反應。微波點火引燃在樣品中產生的溫度梯度(dT/dt)傳統點火方式小得多。換句話說,微波燒結過程中燒結波的傳播要比傳統加熱方式均勻得多。將金屬利用微波加熱到1300-2000℃高溫燒結成陶瓷。 當樣品的壓緊密度高時,傳統加熱方式引發的燃燒波的傳播速率大大減小,因"自熄"而不能自然。但是,若采用微波輻照,由于溫度的升高是反應物質本身吸收(或擴散)微波能量的結果,只要微波源不斷地給予能量,樣品溫度將很快達到著火溫度(T1)。反應一旦引發,放出的熱量又促使樣品溫度進一步升達到燃燒溫度(T2),樣品吸收微波的能力也同時增加,這就反應能夠保持在一個高的溫度(T3>T1)下進行。通過硅亞胺的熱分解可以直接制得很純的α-Si3N4粉末;反應速度、也比較快,至今已開始應用于生產非晶氮化硅薄膜。如果作為合成氮化硅微晶的方法,此路徑較長,且需要低溫條件。日本UBE公司早在1992年就建成了年產300 t的生產線,這是當時世界上規模大的氮化硅生產線。

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